Microchip推出广泛的IGBT 7 功率器件组合专为可持续发展、电动出行和数据中心应用而优化设计

时间: 2024-11-24 19:18:40 |   作者: 产品中心

　　为满足电力电子系统对更高效率、更小尺寸和更高性能的日渐增长的需求，功率元件正在持续不断的发展。为了向系统模块设计人员提供广泛的电源解决方案，Microchip Technology（微芯科技公司）今日宣布推出采用不一样封装、支持多种拓扑结构和电流和电压范围的

　　这一新产品组合具有更高的功率容量、更低的功率损耗和紧凑的器件尺寸，旨在满足可持续发展、电动汽车和数据中心等高增长细分市场的需求。高性能IGBT 7器件是太阳能逆变器、氢能ECO、商用车和农用车以及更多电动飞机（MEA）中电源应用的关键构件。

　　设计人员可通过你自己的要求选择正真适合的功率器件解决方案。IGBT 7器件采用标准D3和D4 62毫米封装，以及SP6C、SP1F和SP6LI封装。该产品组合可在以下拓扑结构中提供多种配置：三电平中性点钳位（NPC）、三相桥、升压斩波器、降压斩波器、双共源、全桥、相腿、单开关和T型。支持电压范围为1200V至1700V，电流范围为50A至900A。

　　Microchip负责分立产品业务的副总裁Leon Gross表示：“多功能IGBT 7系列新产品是易用性和成本效益与更高功率密度和可靠性的完美结合，为我们的客户提供了最大的灵活性。这一些产品专为通用工业应用以及专业航空航天和国防应用而设计。此外，我们的电源解决方案还可与Microchip广泛的FPGA、单片机（MCU）、微处理器（MPU）、dsPIC®数字信号控制器（DSC）和模拟器件集成，可以在一定程度上完成由一家供应商提供全面的系统解决方案。”

　　更低的导通IGBT电压 （Vce）、改进的反并联二极管（Vf更低）和更高的电流能力可实现更低的功率损耗、更高的功率密度和更高的系统效率。低电感封装加上Tvj -175C时更高的过载能力，使这一些器件成为以较低系统成本创建坚固耐用、高可靠性航空和防务应用（如推进、驱动和配电）的绝佳选择。

　　对于需要增强dv/dt可控性的电机控制应用，IGBT 7器件经过设计，可实现高效、平滑和优化的开关驱动，从而使电机平滑转动。这些高性能器件还旨在提高系统可靠性、降低EMI和减少电压尖峰。

　　Microchip提供广泛的电源管理解决方案组合，包括模拟器件、硅（Si）和碳化硅（SiC）电源技术、dsPIC®数字信号控制器（DCS）以及标准、改进和定制电源模块。有关Microchip电源产品的更多信息，请访问网站查阅。

　　各类IGBT 7产品可按生产数量购买。如需知道更多信息或购买，请联系Microchip销售代表、全球授权分销商或访问Microchip采购和客户服务网站。

　　Microchip Technology Inc.是致力于智能、互联和安全的嵌入式控制与处理解决方案的领先供应商。其易于使用的开发工具和丰富的产品组合让客户能够创建最佳设计，从而在降低风险的同时减少系统总成本，缩短上市时间。Microchip的解决方案为工业、汽车、消费、航天和国防、通信以及计算市场中约12万家客户提供服务。Microchip总部在美国亚利桑那州Chandler市，提供出色的技术上的支持、可靠的产品交付和卓越的质量。详情请访问公司网站。

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